BSC105N10LSFGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC105N10LSFGATMA1 | BSC105N10LSFGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC105N10LSFGATMA1

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Numéro d'article	BSC105N10LSFGATMA1
LIXINC Part #	BSC105N10LSFGATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSC105N10LSFGATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSC105N10LSFGATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSC105N10LSFGATMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11.4A (Ta), 90A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 110µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	53 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	156W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8-1
paquet / caisse:	8-PowerTDFN

STW75NF30AG	MOSFET N-CH 300V 60A TO247	941 Plus sur la commande
TSM033NA04LCR RLG	MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN	5868 Plus sur la commande
SI2301-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23	2809 Plus sur la commande
IRFP3306PBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC	2537 Plus sur la commande
DMP2066LSN-7	MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3	23398 Plus sur la commande
STL120N2VH5	MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT	890 Plus sur la commande
STU3N45K3	MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK	937 Plus sur la commande
FQA13N80-F109	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	943 Plus sur la commande
SIHP15N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB	1890 Plus sur la commande
AOWF125A60	MOSFET N-CH 600V 28A TO262F	1926 Plus sur la commande
SI8413DB-T1-E1	MOSFET P-CH 20V 4.8A 4MICROFOOT	3812 Plus sur la commande
TK14G65W,RQ	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK	3747 Plus sur la commande
RM180N100T2	MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3	956 Plus sur la commande