IPP60R1K4C6XKSA1 | Rochester Electronics IPP60R1K4C6XKSA1 | IPP60R1K4C6XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP60R1K4C6XKSA1

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IPP60R1K4C6XKSA1
LIXINC Part #	IPP60R1K4C6XKSA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPP60R1K4C6XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 04 - Jul 08 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPP60R1K4C6XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPP60R1K4C6XKSA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	CoolMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.2A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 90µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	1.1 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	200 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	28.4W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220-3
paquet / caisse:	TO-220-3