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Numéro d'article | SI3493DDV-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI3493DDV-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI3493DDV-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SI3493DDV-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | P-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 20 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 1.8V, 4.5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 30 nC @ 4.5 V |
vg (max): | ±8V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1825 pF @ 10 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 3.6W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 6-TSOP |
paquet / caisse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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En stock | 12848 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.41000 | $0.41 |
3000 | $0.12784 | $383.52 |
6000 | $0.12050 | $723 |
15000 | $0.11315 | $1697.25 |
30000 | $0.10434 | $3130.2 |
75000 | $0.10067 | $7550.25 |
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