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Numéro d'article | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
LIXINC Part # | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IAUS165N08S5N029ATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 80 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 165A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.8V @ 108µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 90 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 6370 pF @ 40 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 167W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-HSOG-8-1 |
paquet / caisse: | 8-PowerSMD, Gull Wing |
SQM120N10-09_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 930 Plus sur la commande |
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IPI80N06S2L11AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 41315 Plus sur la commande |
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IPD096N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | 916 Plus sur la commande |
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STP5N105K5 | MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 | 1764 Plus sur la commande |
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IXTA2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 897 Plus sur la commande |
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SIHB22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 7689 Plus sur la commande |
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FQB7P20TM-F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 1251 Plus sur la commande |
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R6004ENDTL | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | 3451 Plus sur la commande |
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IXFH230N075T2 | MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD | 1759 Plus sur la commande |
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FQPF18N20V2 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220F | 2151 Plus sur la commande |
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IPW60R250CPFKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 966 Plus sur la commande |
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BUK7Y6R0-60EX | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 898 Plus sur la commande |
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IPD70N04S307ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10770 Plus sur la commande |
En stock | 11827 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $4.50000 | $4.5 |
1800 | $2.22498 | $4004.964 |
3600 | $2.11372 | $7609.392 |
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