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SCTW100N65G2AG

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Numéro d'article	SCTW100N65G2AG
LIXINC Part #	SCTW100N65G2AG
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SCTW100N65G2AG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SCTW100N65G2AG Caractéristiques

Numéro d'article:	SCTW100N65G2AG
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	18V
rds sur (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	162 nC @ 18 V
vg (max):	+22V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3315 pF @ 520 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	420W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	HiP247™
paquet / caisse:	TO-247-3