AONV210A60 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONV210A60

AONV210A60

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	AONV210A60
LIXINC Part #	AONV210A60
Fabricant	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 4.1A/20A 4DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AONV210A60 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AONV210A60 Caractéristiques

Numéro d'article:	AONV210A60
Marque:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:	aMOS5™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.1A (Ta), 20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1935 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	8.3W (Ta), 208W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DFN-EP (8x8)
paquet / caisse:	4-PowerTSFN