FDMS039N08B | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS039N08B

FDMS039N08B

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Numéro d'article	FDMS039N08B
LIXINC Part #	FDMS039N08B
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDMS039N08B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDMS039N08B Caractéristiques

Numéro d'article:	FDMS039N08B
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	80 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	19.4A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7600 pF @ 40 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.5W (Ta), 104W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN