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5HN01M-TL-E-SA

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Numéro d'article	5HN01M-TL-E-SA
LIXINC Part #	5HN01M-TL-E-SA
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 50V 100MA MCP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	5HN01M-TL-E-SA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

5HN01M-TL-E-SA Caractéristiques

Numéro d'article:	5HN01M-TL-E-SA
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	50 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	7.5Ohm @ 50mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	1.4 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6.2 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	MCP
paquet / caisse:	SC-70, SOT-323