IRLM120ATF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRLM120ATF

IRLM120ATF

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Numéro d'article	IRLM120ATF
LIXINC Part #	IRLM120ATF
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRLM120ATF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRLM120ATF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRLM120ATF
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V
rds sur (max) @ id, vgs:	220mOhm @ 1.15A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.7W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223-4
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA