NP82N04NDG-S18-AY | Rochester Electronics NP82N04NDG-S18-AY | NP82N04NDG-S18-AY Inventory, Best Pricing

NP82N04NDG-S18-AY

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Numéro d'article	NP82N04NDG-S18-AY
LIXINC Part #	NP82N04NDG-S18-AY
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NP82N04NDG-S18-AY Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NP82N04NDG-S18-AY Caractéristiques

Numéro d'article:	NP82N04NDG-S18-AY
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	82A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	9000 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	3-LDPAK
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA