SIDR402DP-T1-GE3

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Numéro d'article SIDR402DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIDR402DP-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIDR402DP-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIDR402DP-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIDR402DP-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET® Gen IV
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:64.6A (Ta), 100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:165 nC @ 10 V
vg (max):+20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:9100 pF @ 20 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):6.25W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SO-8DC
paquet / caisse:PowerPAK® SO-8

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