TSM120N06LCS RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM120N06LCS RLG | TSM120N06LCS RLG Inventory, Best Pricing

TSM120N06LCS RLG

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	TSM120N06LCS RLG
LIXINC Part #	TSM120N06LCS RLG
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM120N06LCS RLG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TSM120N06LCS RLG Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM120N06LCS RLG
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	23A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2193 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	12.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)