SPB04N50C3ATMA1 | Rochester Electronics SPB04N50C3ATMA1 | SPB04N50C3ATMA1 Inventory, Best Pricing

SPB04N50C3ATMA1

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Numéro d'article	SPB04N50C3ATMA1
LIXINC Part #	SPB04N50C3ATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SPB04N50C3ATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SPB04N50C3ATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	SPB04N50C3ATMA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	CoolMOS™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	560 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	950mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	470 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	50W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-3-2
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB