IXFR4N100Q | Wickmann / Littelfuse IXFR4N100Q | IXFR4N100Q Inventory, Best Pricing

IXFR4N100Q

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IXFR4N100Q
LIXINC Part #	IXFR4N100Q
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXFR4N100Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 29 - Oct 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXFR4N100Q Caractéristiques

Numéro d'article:	IXFR4N100Q
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	HiPerFET™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1.5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1050 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	80W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	ISOPLUS247™
paquet / caisse:	ISOPLUS247™