TSM061NA03CR RLG

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Numéro d'article TSM061NA03CR RLG
LIXINC Part # TSM061NA03CR RLG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TSM061NA03CR RLG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 06 - Jul 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TSM061NA03CR RLG Caractéristiques

Numéro d'article:TSM061NA03CR RLG
Marque:TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:TSC (Taiwan Semiconductor)
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:88A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:6.1mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1133 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):78W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-PDFN (5x6)
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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