IPT60R080G7XTMA1

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Numéro d'article IPT60R080G7XTMA1
LIXINC Part # IPT60R080G7XTMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPT60R080G7XTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 09 - Jul 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPT60R080G7XTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPT60R080G7XTMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™ G7
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:29A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:80mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 490µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1640 pF @ 400 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):167W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-HSOF-8-2
paquet / caisse:8-PowerSFN

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