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BSS84XHZGG2CR

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Numéro d'article	BSS84XHZGG2CR
LIXINC Part #	BSS84XHZGG2CR
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSS84XHZGG2CR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 19 - Sep 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSS84XHZGG2CR Caractéristiques

Numéro d'article:	BSS84XHZGG2CR
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	230mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	34 pF @ 30 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN1010-3W
paquet / caisse:	3-XFDFN