STL19N60M2

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Numéro d'article STL19N60M2
LIXINC Part # STL19N60M2
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO STL19N60M2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 20 - Sep 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STL19N60M2 Caractéristiques

Numéro d'article:STL19N60M2
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:STMicroelectronics
série:MDmesh™ M2
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:21.5 nC @ 10 V
vg (max):±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:791 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):90W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PowerFlat™ (8x8) HV
paquet / caisse:8-PowerVDFN

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