IXFH52N50P2 | Wickmann / Littelfuse IXFH52N50P2 | IXFH52N50P2 Inventory, Best Pricing

IXFH52N50P2

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Numéro d'article	IXFH52N50P2
LIXINC Part #	IXFH52N50P2
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXFH52N50P2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXFH52N50P2 Caractéristiques

Numéro d'article:	IXFH52N50P2
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	HiPerFET™, PolarHV™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	52A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 4mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	113 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6800 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	960W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247AD (IXFH)
paquet / caisse:	TO-247-3

SIHF22N65E-GE3	MOSFET N-CH 650V 22A TO220	891 Plus sur la commande
IRFU1N60APBF	MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA	3471 Plus sur la commande
IRFIBE30GPBF	MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3	1650 Plus sur la commande
FDB603AL	N-CHANNEL POWER MOSFET	40036 Plus sur la commande
IXFT320N10T2	MOSFET N-CH 100V 320A TO268	1402 Plus sur la commande
BB502CBS-TL-H	RF N-CHANNEL MOSFET	60978 Plus sur la commande
IRFR24N15DPBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	6481 Plus sur la commande
IRFF232	N-CHANNEL POWER MOSFET	1293 Plus sur la commande
SIRA88DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8	1553 Plus sur la commande
IRF2204PBF	MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB	868 Plus sur la commande
IPP037N08N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	905 Plus sur la commande
SI7370DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8	1414 Plus sur la commande
TN0620N3-G-P002	MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3	4657 Plus sur la commande