ZXMN3F30FHTA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN3F30FHTA

ZXMN3F30FHTA

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Numéro d'article	ZXMN3F30FHTA
LIXINC Part #	ZXMN3F30FHTA
Fabricant	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ZXMN3F30FHTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

ZXMN3F30FHTA Caractéristiques

Numéro d'article:	ZXMN3F30FHTA
Marque:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	47mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	7.7 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	318 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	950mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3