SI7434ADP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix SI7434ADP-T1-RE3 | SI7434ADP-T1-RE3 Inventory, Best Pricing

SI7434ADP-T1-RE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SI7434ADP-T1-RE3
LIXINC Part #	SI7434ADP-T1-RE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI7434ADP-T1-RE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SI7434ADP-T1-RE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI7434ADP-T1-RE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	ThunderFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	250 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	3.7A (Ta), 12.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	7.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 125 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	5W (Ta), 54.3W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® SO-8
paquet / caisse:	PowerPAK® SO-8