TK5Q65W,S1Q

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Numéro d'article TK5Q65W,S1Q
LIXINC Part # TK5Q65W,S1Q
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK5Q65W,S1Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK5Q65W,S1Q Caractéristiques

Numéro d'article:TK5Q65W,S1Q
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:DTMOSIV
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5.2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.22Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 170µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:380 pF @ 300 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):60W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Stub Leads, IPak

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