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Numéro d'article | IPD100N06S403ATMA1 |
LIXINC Part # | IPD100N06S403ATMA1 |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-31 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPD100N06S403ATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPD100N06S403ATMA1 |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Bulk |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 3.5mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 90µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 128 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 10.4 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 150W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3-11 |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFR422 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2119 Plus sur la commande |
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STD4LN80K5 | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK | 1999 Plus sur la commande |
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SI1078X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | 807 Plus sur la commande |
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FQPF19N10L | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F | 2318 Plus sur la commande |
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IRLR2908PBF | HEXFET POWER MOSFET | 903 Plus sur la commande |
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IRFR6215PBF | PFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM, | 972 Plus sur la commande |
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STD4N80K5 | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | 5732 Plus sur la commande |
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FDS6680 | MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC | 59177 Plus sur la commande |
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NVMFS6H800NLWFT1G | MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN | 838 Plus sur la commande |
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NVMFS5C404NT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 824 Plus sur la commande |
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TSM5NC50CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252 | 3270 Plus sur la commande |
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SI7113DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK | 7056 Plus sur la commande |
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MPF6659RLRA | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 11352 Plus sur la commande |
En stock | 17375 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.60000 | $0.6 |
2500 | $0.60000 | $1500 |
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