2SK669-AC

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Numéro d'article 2SK669-AC
LIXINC Part # 2SK669-AC
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SK669-AC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2SK669-AC Caractéristiques

Numéro d'article:2SK669-AC
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Box
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):50 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:100mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:20Ohm @ 10mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:15 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):200mW (Ta)
température de fonctionnement:125°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:3-SPA
paquet / caisse:3-SIP

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