IRL40B215 | IR (Infineon Technologies) IRL40B215 | IRL40B215 Inventory, Best Pricing

IRL40B215

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Numéro d'article	IRL40B215
LIXINC Part #	IRL40B215
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRL40B215 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRL40B215 Caractéristiques

Numéro d'article:	IRL40B215
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®, StrongIRFET™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.7mOhm @ 98A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	84 nC @ 4.5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5225 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	143W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3