DN3135N8-G | Roving Networks / Microchip Technology DN3135N8-G

DN3135N8-G

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Numéro d'article	DN3135N8-G
LIXINC Part #	DN3135N8-G
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DN3135N8-G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DN3135N8-G Caractéristiques

Numéro d'article:	DN3135N8-G
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	350 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	135mA (Tj)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	0V
rds sur (max) @ id, vgs:	35Ohm @ 150mA, 0V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 25 V
fonction fet:	Depletion Mode
puissance dissipée (max):	1.3W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-243AA (SOT-89)
paquet / caisse:	TO-243AA