YJQ35N04A-F1-1100HF | YJQ35N04A-F1-1100HF | YJQ35N04A-F1-1100HF Inventory, Best Pricing

YJQ35N04A-F1-1100HF

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Numéro d'article	YJQ35N04A-F1-1100HF
LIXINC Part #	YJQ35N04A-F1-1100HF
Fabricant
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	YJQ35N04A-F1-1100HF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

YJQ35N04A-F1-1100HF Caractéristiques

Numéro d'article:	YJQ35N04A-F1-1100HF
Marque:
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	35A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	4.1W (Ta), 40W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerVDFN