SQM50N04-4M0L_GE3 | Vishay / Siliconix SQM50N04-4M0L_GE3 | SQM50N04-4M0L

SQM50N04-4M0L_GE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SQM50N04-4M0L_GE3
LIXINC Part #	SQM50N04-4M0L_GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SQM50N04-4M0L_GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SQM50N04-4M0L_GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SQM50N04-4M0L_GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6100 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	150W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263 (D²Pak)
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHB33N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK	3887 Plus sur la commande
IRFR010TRPBF	MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK	854 Plus sur la commande
CSD25213W10	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA	18464 Plus sur la commande
BUK9M9R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	2176 Plus sur la commande
R6004KNX	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM	1376 Plus sur la commande
IPD65R660CFD	IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO	1641 Plus sur la commande
RCJ081N20TL	MOSFET N-CH 200V 8A LPTS	1752 Plus sur la commande
PSMN1R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	1234 Plus sur la commande
RSD100N10TL	MOSFET N-CH 100V 10A CPT3	844 Plus sur la commande
NVMFS5826NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4641 Plus sur la commande
NVMFS4C03NWFT3G	MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN	942 Plus sur la commande
NVD14N03RT4G	N-CHANNEL POWER MOSFET	35364 Plus sur la commande
NTMS7N03R2G	MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC	2892 Plus sur la commande