PMPB10XNE,115 | Nexperia PMPB10XNE,115 | PMPB10XNE,115 Inventory, Best Pricing

PMPB10XNE,115

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Numéro d'article	PMPB10XNE,115
LIXINC Part #	PMPB10XNE,115
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMPB10XNE,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

PMPB10XNE,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	PMPB10XNE,115
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	20 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	1.8V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:	14mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2175 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DFN2020MD-6
paquet / caisse:	6-UDFN Exposed Pad