RQ6E085BNTCR

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Numéro d'article RQ6E085BNTCR
LIXINC Part # RQ6E085BNTCR
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RQ6E085BNTCR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ6E085BNTCR Caractéristiques

Numéro d'article:RQ6E085BNTCR
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:8.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:14.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:32.7 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1350 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.25W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-457
paquet / caisse:SC-74, SOT-457

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