FQI10N60CTU | Rochester Electronics FQI10N60CTU | FQI10N60CTU Inventory, Best Pricing

FQI10N60CTU

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FQI10N60CTU
LIXINC Part #	FQI10N60CTU
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQI10N60CTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FQI10N60CTU Caractéristiques

Numéro d'article:	FQI10N60CTU
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	QFET®
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	57 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2.04 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.13W (Ta), 156W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK (TO-262)
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA