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Numéro d'article | SIHD180N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHD180N60E-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIHD180N60E-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | SIHD180N60E-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | E |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 19A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 195mOhm @ 9.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1080 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 156W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-252AA |
paquet / caisse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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BUK952R8-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 1341 Plus sur la commande |
En stock | 10891 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.01000 | $3.01 |
10 | $2.68345 | $26.8345 |
100 | $2.20061 | $220.061 |
500 | $1.78196 | $890.98 |
2000 | $1.42773 | $2855.46 |
6000 | $1.37404 | $8244.24 |
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