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Numéro d'article | NTD4809NA-1G |
LIXINC Part # | NTD4809NA-1G |
Fabricant | Rochester Electronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | NTD4809NA-1G Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Aug 14 - Aug 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | NTD4809NA-1G |
Marque: | Rochester Electronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Rochester Electronics |
série: | - |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Obsolete |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 11.5V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 4.5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1.456 pF @ 12 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | I-PAK |
paquet / caisse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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En stock | 86864 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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