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Numéro d'article | BSZ065N03LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ065N03LSATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSZ065N03LSATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSZ065N03LSATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 40A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 4.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 670 pF @ 15 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TSDSON-8-FL |
paquet / caisse: | 8-PowerTDFN |
AOB190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | 988 Plus sur la commande |
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R6020FNX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1363 Plus sur la commande |
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SIHG20N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC | 855 Plus sur la commande |
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TPH8R008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP | 5827 Plus sur la commande |
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IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO263 | 91703 Plus sur la commande |
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TK62J60W,S1VQ | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P | 968 Plus sur la commande |
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IRFIB41N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 2247 Plus sur la commande |
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BSH111BKR | MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB | 2504 Plus sur la commande |
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AUIRF7416QTR | PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O | 4907 Plus sur la commande |
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BSZ075N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 959 Plus sur la commande |
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DMN24H3D5L-13 | MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 | 899 Plus sur la commande |
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SI2312BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 14493 Plus sur la commande |
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IPB020N04NGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3 | 32575 Plus sur la commande |
En stock | 29033 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.83000 | $0.83 |
5000 | $0.31204 | $1560.2 |
10000 | $0.30048 | $3004.8 |
25000 | $0.29418 | $7354.5 |
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