IPB120P04P404ATMA2

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Numéro d'article IPB120P04P404ATMA2
LIXINC Part # IPB120P04P404ATMA2
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPB120P04P404ATMA2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IPB120P04P404ATMA2 Caractéristiques

Numéro d'article:IPB120P04P404ATMA2
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:120A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:3.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 340µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:205 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:14790 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):136W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-3-2
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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