RSR020N06TL

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Numéro d'article RSR020N06TL
LIXINC Part # RSR020N06TL
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RSR020N06TL Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RSR020N06TL Caractéristiques

Numéro d'article:RSR020N06TL
Marque:ROHM Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:ROHM Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:170mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:180 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):540mW (Ta)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TSMT3
paquet / caisse:SC-96

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