C3M0120065D | Wolfspeed - a Cree company C3M0120065D | C3M0120065D Inventory, Best Pricing

C3M0120065D

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	C3M0120065D
LIXINC Part #	C3M0120065D
Fabricant	Wolfspeed - a Cree company
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	650V 120M SIC MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	C3M0120065D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

C3M0120065D Caractéristiques

Numéro d'article:	C3M0120065D
Marque:	Wolfspeed - a Cree company
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wolfspeed - a Cree company
série:	C3M™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	22A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	15V
rds sur (max) @ id, vgs:	157mOhm @ 6.76A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	3.6V @ 1.86mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vg (max):	+19V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	640 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	98W (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247-3
paquet / caisse:	TO-247-3