TSM80N1R2CP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM80N1R2CP ROG | TSM80N1R2CP ROG Inventory, Best Pricing

TSM80N1R2CP ROG

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Numéro d'article	TSM80N1R2CP ROG
LIXINC Part #	TSM80N1R2CP ROG
Fabricant	TSC (Taiwan Semiconductor)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TSM80N1R2CP ROG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TSM80N1R2CP ROG Caractéristiques

Numéro d'article:	TSM80N1R2CP ROG
Marque:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	TSC (Taiwan Semiconductor)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	800 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	19.4 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	685 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	110W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252, (D-Pak)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63