IXFH20N100P | Wickmann / Littelfuse IXFH20N100P | IXFH20N100P Inventory, Best Pricing

IXFH20N100P

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Numéro d'article	IXFH20N100P
LIXINC Part #	IXFH20N100P
Fabricant	Wickmann / Littelfuse
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IXFH20N100P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IXFH20N100P Caractéristiques

Numéro d'article:	IXFH20N100P
Marque:	Wickmann / Littelfuse
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
série:	HiPerFET™, PolarP2™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	6.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	126 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	7300 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	660W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247AD (IXFH)
paquet / caisse:	TO-247-3