SIRC18DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIRC18DP-T1-GE3 | SIRC18DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIRC18DP-T1-GE3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	SIRC18DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIRC18DP-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SIRC18DP-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SIRC18DP-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SIRC18DP-T1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET® Gen IV
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	111 nC @ 10 V
vg (max):	+20V, -16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5060 pF @ 15 V
fonction fet:	Schottky Diode (Body)
puissance dissipée (max):	54.3W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® SO-8
paquet / caisse:	PowerPAK® SO-8