CSD23202W10

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Numéro d'article CSD23202W10
LIXINC Part # CSD23202W10
Fabricant Texas Instruments
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CSD23202W10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CSD23202W10 Caractéristiques

Numéro d'article:CSD23202W10
Marque:Texas Instruments
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Texas Instruments
série:NexFET™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):12 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:2.2A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.5V, 4.5V
rds sur (max) @ id, vgs:53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.8 nC @ 4.5 V
vg (max):-6V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:512 pF @ 6 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:4-DSBGA (1x1)
paquet / caisse:4-UFBGA, DSBGA

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