AOUS66616

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Numéro d'article AOUS66616
LIXINC Part # AOUS66616
Fabricant Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AOUS66616 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AOUS66616 Caractéristiques

Numéro d'article:AOUS66616
Marque:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
série:AlphaSGT™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:33A (Ta), 92A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2870 pF @ 30 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):6.2W (Ta), 92.5W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:UltraSO-8™
paquet / caisse:3-PowerSMD, Flat Leads

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