TK200F04N1L,LXGQ

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Numéro d'article TK200F04N1L,LXGQ
LIXINC Part # TK200F04N1L,LXGQ
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TK200F04N1L,LXGQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TK200F04N1L,LXGQ Caractéristiques

Numéro d'article:TK200F04N1L,LXGQ
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVIII-H
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:200A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:0.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:214 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:14920 pF @ 10 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):375W (Tc)
température de fonctionnement:175°C
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220SM(W)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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