TPH8R80ANH,L1Q

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Numéro d'article TPH8R80ANH,L1Q
LIXINC Part # TPH8R80ANH,L1Q
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TPH8R80ANH,L1Q Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TPH8R80ANH,L1Q Caractéristiques

Numéro d'article:TPH8R80ANH,L1Q
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:U-MOSVIII-H
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:32A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):1.6W (Ta), 61W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP Advance (5x5)
paquet / caisse:8-PowerVDFN

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