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NDPL180N10BG

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Numéro d'article	NDPL180N10BG
LIXINC Part #	NDPL180N10BG
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NDPL180N10BG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NDPL180N10BG Caractéristiques

Numéro d'article:	NDPL180N10BG
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	180A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V, 15V
rds sur (max) @ id, vgs:	3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6.95 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.1W (Ta), 200W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3
paquet / caisse:	TO-220-3