TPH3206LDGB

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Numéro d'article TPH3206LDGB
LIXINC Part # TPH3206LDGB
Fabricant Transphorm
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TPH3206LDGB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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TPH3206LDGB Caractéristiques

Numéro d'article:TPH3206LDGB
Marque:Transphorm
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Transphorm
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:16A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
vg (max):±18V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 480 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):81W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PQFN (8x8)
paquet / caisse:3-PowerDFN

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