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RF4E110BNTR

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Numéro d'article	RF4E110BNTR
LIXINC Part #	RF4E110BNTR
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RF4E110BNTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RF4E110BNTR Caractéristiques

Numéro d'article:	RF4E110BNTR
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	11.1mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	24 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2W (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	HUML2020L8
paquet / caisse:	8-PowerUDFN