TK100L60W,VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

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Numéro d'article	TK100L60W,VQ
LIXINC Part #	TK100L60W,VQ
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TK100L60W,VQ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

TK100L60W,VQ Caractéristiques

Numéro d'article:	TK100L60W,VQ
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	DTMOSIV
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	360 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	15000 pF @ 30 V
fonction fet:	Super Junction
puissance dissipée (max):	797W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3P(L)
paquet / caisse:	TO-3PL