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Numéro d'article | SIHW61N65EF-GE3 |
LIXINC Part # | SIHW61N65EF-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SIHW61N65EF-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SIHW61N65EF-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | E |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 650 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 64A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 47mOhm @ 30.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 371 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 7407 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 520W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-247AD |
paquet / caisse: | TO-247-3 |
IRF710PBF-BE3 | MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB | 1841 Plus sur la commande |
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FDW252P | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP | 273971 Plus sur la commande |
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STF18NM60N | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP | 1899 Plus sur la commande |
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BSC057N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON | 13045 Plus sur la commande |
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IRF7406TRPBF | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO | 13165 Plus sur la commande |
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SPU07N60C3BKMA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3 | 1966 Plus sur la commande |
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SMBF1006LT1 | SS SOT23 JFET NPN SPCL | 54800 Plus sur la commande |
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AOW29S50 | MOSFET N-CH 500V 29A TO262 | 826 Plus sur la commande |
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SUM110N04-04-E3 | MOSFET N-CH 40V 110A TO263 | 885 Plus sur la commande |
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TSM3N80CZ C0G | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | 1842 Plus sur la commande |
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NDP6060 | MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3 | 10248945 Plus sur la commande |
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SQ2319ADS-T1_GE3 | MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3 | 1294 Plus sur la commande |
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APT1201R4BLLG | MOSFET N-CH 1200V 9A TO247 | 1119 Plus sur la commande |
En stock | 10940 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $14.09000 | $14.09 |
10 | $12.81083 | $128.1083 |
480 | $9.92839 | $4765.6272 |
960 | $8.83947 | $8485.8912 |
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