IPN50R2K0CEATMA1

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Numéro d'article IPN50R2K0CEATMA1
LIXINC Part # IPN50R2K0CEATMA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPN50R2K0CEATMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IPN50R2K0CEATMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPN50R2K0CEATMA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™ CE
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):13V
rds sur (max) @ id, vgs:2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 50µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:124 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):5W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-SOT223
paquet / caisse:SOT-223-3

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